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ESD對精(jīng)密半導體(tǐ)芯片的靜電(diàn)危害

2018-04-12 22:22:26   責任編輯:深圳市斯泰科(kē)微科(kē)技(jì )有(yǒu)限公(gōng)司    0

ESD即靜電(diàn)釋放,它對于精(jīng)密半導體(tǐ)芯片會造成各種損傷,例如穿透元器件内部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元件的栅極;CMOS器件中(zhōng)的觸發器鎖死;造成反向偏置和正向偏置的PN結短路;融化有(yǒu)源器件内部的焊接線(xiàn)或鋁線(xiàn)。


在電(diàn)腦行業,ESD更是頻繁出現的無形殺手,主要表現在:

  1. 雷擊或其他(tā)靜電(diàn)放電(diàn)導緻網卡損壞  

  2. 芯片組燒毀,如早幾年某主闆大廠由于USB接口的ESD問題引起大量南橋燒壞  

  3. IO接口問題導緻主闆上的元件損壞,如三極管燒毀  

  4. 系統出錯,重啓,硬盤數據丢失等在主闆設計時加入有(yǒu)效的ESD防護措施,可(kě)最大程度上防治上述各項損害的發生,從而提高主闆品質(zhì),加長(cháng)工(gōng)作(zuò)壽命。通常主闆元器件在遭受ESD後可(kě)通俗分(fēn)為(wèi)三種狀态:健康,死亡,受傷。健康的,該元件有(yǒu)适當的ESD防護處理(lǐ),可(kě)正常運行幾年時間。死亡的,該元件沒有(yǒu)ESD防護,而遭受嚴重的ESD損害,不能(néng)正常運行。受傷的,該元件遭受部分(fēn)損壞,含有(yǒu)潛在的缺陷。雖然短時間内不易發覺,但是在使用(yòng)過程中(zhōng)出現過早實效