ESD放電(diàn)造成微電(diàn)子電(diàn)路損傷的模式金屬布線(xiàn)與擴散區(qū)(或多(duō)晶)接觸孔産(chǎn)生火花(huā)，使金屬和矽的歐姆接觸被破壞。

使節點的溫度超過半導體(tǐ)矽的熔點(1415℃)時,使矽熔解，産(chǎn)生再結晶，造成器件短路。金屬化電(diàn)極和布線(xiàn)熔解、球化，造成電(diàn)路開路。大電(diàn)流流過PN結産(chǎn)生焦耳熱，使結溫升高，形成熱斑或熱奔，導緻器件損壞靜電(diàn)放電(diàn)引發的瞬時大電(diàn)流(靜電(diàn)火花(huā))引燃引爆易燃、易爆氣體(tǐ)混合物(wù)或電(diàn)火工(gōng)品，造成意外燃燒、爆炸事故。

靜電(diàn)放電(diàn)使人體(tǐ)遭受電(diàn)擊引發操作(zuò)失誤造成二次事故、靜電(diàn)場的庫侖力作(zuò)用(yòng)使紡織、印刷、塑料包裝(zhuāng)等自動化生産(chǎn)線(xiàn)受阻。第三類靜電(diàn)危害是由于靜電(diàn)放電(diàn)的電(diàn)磁輻射或靜電(diàn)放電(diàn)電(diàn)磁脈沖(ESDEMP)對電(diàn)子設備造成的電(diàn)磁幹擾引發的各種事故。

　一般說來，靜電(diàn)放電(diàn)都是在微秒(miǎo)或鈉秒(miǎo)量級完成的，因此這一過程是一種絕熱過程，放電(diàn)瞬間通過回路的大電(diàn)流，形成局部的高溫熱源。對微電(diàn)子器件而言，其靜電(diàn)放電(diàn)能(néng)量通過器件集中(zhōng)釋放，其平均功率可(kě)達幾千瓦，熱量很(hěn)難從功率耗散面向外擴散，因而在器件内形成大的溫度梯度，造成局部熱損傷，電(diàn)路性能(néng)變壞或失效。